干式蝕刻（又稱為等離子蝕刻）是最常用的蝕刻方式，其以氣體作為主要的蝕刻媒介，并藉由等離子體能量來驅動反應。在半導體的制程中，蝕刻被用來將某種材質自晶圓表面上移除。等離子體對蝕刻制程有物理性與化學性兩方面的影響。首先，等離子體會將蝕刻氣體分子分解，產生能夠快速蝕去材料的高活性分子。此外，等離子體也會把這些化學成份離子化，使其帶有電荷。晶圓系置于帶負電的陰極之上，因此當帶正電荷的離子被陰極吸引并加速向陰極方向前進時，會以垂直角度撞擊到晶圓表面。芯片制造商即是運用此特性來獲得絕佳的垂直蝕刻，而后者也是干式蝕刻的重要角色。基本上，隨著所欲去除的材質與所使用的蝕刻化學物質之不同，蝕刻由下列兩種模式單獨或混會進行：

1. 等離子體內部所產生的活性反應離子與自由基在撞擊晶圓表面后，將與某特定成份之表面材質起化學反應而使之氣化。如此即可將表面材質移出晶圓表面，并透過抽氣動作將其排出。

2. 等離子體因加速而具有足夠的動能來扯斷薄膜的化學鍵，進而將晶圓表面材質分子一個個的打擊或濺擊出來。

但是，請記住，如果蝕刻標牌制作具有非常小薄膜厚度特性的薄膜，則每片晶圓的干蝕刻成本將高出1-2個點，還可能遇到各向同性濕蝕刻的問題，因為減弱程度至少等于薄膜厚度。干法刻蝕幾乎可以直接向下刻蝕而不會減弱，從而提供更高的分辨率。

濕式蝕刻是傳統的蝕刻方法。把硅片浸泡在一定的化學試劑或試劑溶液中，使沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜表面與試劑發生化學反應而被除去 例如,用一種含有氫氟酸的溶液刻蝕二氧化硅薄膜，用磷酸刻蝕鋁薄膜等。這種在液態環境中進行刻蝕的工藝稱為“濕法”工藝，其優點是操作簡便、對設備要求低、易于實現大批量生產，并且蝕刻的選擇性也好。但是，化學反應的各向異性較差，橫向鉆蝕刻使所得的蝕刻剖面呈圓弧形。這不僅使圖形剖面發生變化，而且當稍有過蝕刻時剖面會產生虛線，致使薄膜上圖形的線寬比原抗蝕劑膜上形成的線寬小2 ,并且隨著蝕刻時間迅速增大。這使精確控制圖形變得困難。濕法蝕刻的另一問題，是抗蝕劑在溶液中，特別在較高溫度的溶液中易受破壞而使掩蔽失效，因而對于那些只能在這種條件下蝕刻的薄膜必須采用更為復雜的掩蔽方案。對于采用微米級和亞微米量級線寬的超大規模集成電路，蝕刻方法必須具有較高的各向異性特性，才能保證圖形的精度，但濕式蝕刻不能滿足這一要求。